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想当经纪人?先搞懂3D NAND闪存再说

文章作者 : 佚名发布时间 : 2016-08-19 11:16:51 用手机看

在NAND Flash普及的进程中,随着2D平面闪存工艺进步,到达15nm的水平后,相关问题随之出现。每个闪存储存单元储存的电子越来越少,能抗磨损(每次写入、擦除,需要高电压,材料对电子控制能力随之变弱)的冗余电子减少,严重影响闪存耐久度。因此,3D NAND目前已经成为闪存界的新宠。那么如果在跟人讨论3D闪存的时候装逼呢?

一、行业背景

首先要对当前生产3D NAND的厂商了如指掌,张口就来。比如Intel的3D Xpoint,那就是未来型的,高效的交叉阵列结构。储存装置的速度和耐用度可达到当前NAND Flash的1,000倍。定位是在DRAM与SSD之间充当新的存储层,走在技术的最前端。

还有三星的 V-NAND,采用的进度最快的堆栈方式。放弃了传统的浮栅极MOSFET,改用自家的电荷撷取闪存(charge trap flash,简称CTF)设计。P/E擦写次数可达35000次。

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然后再提到东芝的BICS 3,是所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低,也意味着成本更低。采用3-bit-per-cell技术和一次完成編程演算法(1-Pass Program Algorithm) 。也就是性价比型的,那么从成本的角度考虑,产品只有性价比占据了优势,才能引领新的闪存完成更替。

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二、专有术语

讲完背景就要用专业术语来提升逼格,比如说我们讲SSD就会比讲固态硬盘要显得6。

那么关于3D NAND的关键制造工艺如下,也给你们准备好了。

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(3D制造工艺)

High aspect ratio trenches(高深宽比的沟开挖)

No doping on source or drain(在源与漏中不掺杂)

Perfectly parallel walls(完全平行的侧壁)

Tens of stairsteps(众多级的楼梯(台阶))

Uniform layer across wafer(在整个硅片面上均匀的淀积层)

Single-Litho stairstep(一步光刻楼梯成形)

Hard  mask  etching(硬掩模付蚀)

Processing inside of hole(通孔工艺)

Deposition on hole sides(孔内壁淀积工艺)

Polysilicon channels(多晶硅沟道)

Charge trap storage(电荷俘获型存储)

Etch through varying materials(各种不同材料的付蚀)

Deposition of tens of layers(淀积众多层材料)

三、行业前景

最后,就得谈点行业前景作为收尾。要是有人说现在都有SSD用上3D闪存了,你就得义正言辞的看着他说,“这个我懂,但是那是48层堆栈的,性价比不高。”真正大规模进入市场的时间是2016年Q4-2017年Q1季度,7月27日,东芝率先推出64层堆栈的3D NAND。标志着新一代3D NAND吹响了进入存储行业的号角。作为直系供应链的群联已经拿到内部工程样品,目前正进行紧张有序的VL 测试。而作为群联大陆唯一合作伙伴的影驰已经做好相关产线规划布局,成为行业领导地位有力角逐者。

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